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SIHG33N60E-GE3中文资料

SIHG33N60E-GE3图片

SIHG33N60E-GE3外观图

  • 大小：193KB
  • 厂家：
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  • 现有数量：500现货
  • 价格：1 : ￥53.11000管件
  • 系列：-
  • 包装：管件
  • 产品状态：在售
  • FET 类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：33A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 16.5A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：150 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：3508 pF @ 100 V
  • FET 功能：-
  • 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 供应商器件封装：TO-247AC
  • 封装/外壳：TO-247-3

SIHG33N60E-GE3供应商

更新时间:2023-01-01 02:25:07
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